Công nghệ thay thế DRAM sắp hiện thực hóa

Trong năm qua, Quinas đã hợp tác chặt chẽ với IQE plc, một nhà sản xuất wafer tiên tiến nhằm mở rộng quy trình sản xuất UltraRAM thành quy trình công nghiệp. Sự hợp tác hiện đã mang lại thành công, giúp việc triển khai công nghệ này nhằm thay thế cho DRAM trở nên gần hơn bao giờ hết.

Ở thời điểm hiện tại, thiết kế UltraRAM đang áp dụng quy trình epitaxy gallium antimonide và aluminum antimonide tiên tiến lần đầu tiên trên thế giới, từ đó mở đường cho hoạt động sản xuất hàng loạt. Đây là quy trình với các lớp bán dẫn phức hợp được phát triển với độ chính xác cao trên nền tinh thể. Sau đó, các quy trình sản xuất bán dẫn quen thuộc như quang khắc được áp dụng để tạo ra cấu trúc chip nhớ.

CEO Jutta Meier của IQE, cho biết: “Chúng tôi đã đạt được thành công trong việc phát triển quy trình epitaxy có thể mở rộng cho UltraRAM, đánh dấu một cột mốc quan trọng hướng tới sản xuất chip đóng gói công nghiệp”. Trong khi đó, CEO kiêm đồng sáng lập Quinas, James Ashforth-Pook, mô tả thành công này là “bước ngoặt trong hành trình từ nghiên cứu đại học đến các sản phẩm bộ nhớ thương mại”. Quinas và IQE hiện xem xét khả năng sản xuất thử nghiệm với nhiều xưởng đúc và các đối tác khác.

Nét nổi bật của UltraRAM so với DRAM

Được giới thiệu lần đầu vào năm 2022, UltraRAM là công nghệ bộ nhớ mới tự hào với nhiều đặc điểm nổi bật như tốc độ tương đương DRAM, chuyển mạch dưới 1 femtojoule, độ bền gấp 4.000 lần NAND và khả năng lưu trữ dữ liệu lên đến 1.000 năm. Công nghệ này được cấp bằng sáng chế và khai thác hiệu ứng đường hầm cộng hưởng – một quá trình cơ học lượng tử.

Hành trình từ nghiên cứu đến sản xuất thương mại UltraRAM thường gặp nhiều khó khăn, vì vậy việc quy trình chế tạo UltraRAM được mở rộng để hướng đến sản xuất hàng loạt đã mang đến nhiều hy vọng cho tương lai của công nghệ này.